CESD1006NC7VB_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:8A 参数2：电压VRWM:7V 参数3：CJ:20pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护器件，设计用于敏感电子设备的接口保护。其最大持续工作电压（VRWM）为7V，确保在常规工作电压环境下稳定运行。双向（Bi-directional）结构允许它在正反两个方向上提供有效的过电压保护。当遇到瞬时高能量冲击时，该器件能承受最高达8A的峰值脉冲电流（IPP），有效保护电路免受损害。电容值（CJ）仅为20皮法（pF），有助于保持信号的完整性，尤其适用于高速数据线。1通道的设计简化了集成过程，适合应用于各种需要可靠保护的电子线路中。
