PESDHC2FD5VBH_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:30A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:60pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此静电和浪涌保护器件属于Bi双向类型，特别设计用于提供高效过电压保护。其IPP（峰值脉冲电流）高达30A，能够承受强烈的瞬时电流冲击而不损坏。VRWM（最大工作电压）为5V，确保在低电压环境中稳定运行。该器件的极间电容(CJ)为60pF，在不影响信号完整性的前提下，适用于各种需要保护的信号线路。采用单通道(LINE)设计，简化了集成过程，方便应用于多种电子设备中。本元件能在不干扰正常信号传输的情况下，有效抵御静电放电(ESD)和瞬态电压波动，为连接设备提供必要的保护，保证系统的安全与稳定操作。
