LESD11D3.3CT5G_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN0603-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：15000/圆盘 参数1：电流Ipp:5A 参数2：电压VRWM:3.3V 参数3：CJ:12pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护器件，采用TVS/ESD技术，适用于各类敏感电子设备的接口保护。其IPP额定脉冲峰值电流为5A，确保在遭受短暂过电压事件时能够有效分流多余能量。工作截止电压VRWM为3.3V，适合低压环境应用，保障电路稳定运行。电容CJ仅为12皮法（pF），对信号的干扰极小，维持数据传输的完整性。该保护元件设计为1通道Bi双向类型，既可保护正向也可保护反向的过电压脉冲，提供全面的防护解决方案。
