BDFN1C051L_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN0603-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：15000/圆盘 参数1：电流Ipp:2A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:3pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）设计用于提供高效瞬态电压抑制，其峰值脉冲电流IPP为2A，能够在遇到瞬时高能量冲击时迅速响应。工作电压VRWM设定在5V，适合应用于需要稳定电压保护的电子电路中。该器件拥有极低的电容CJ，仅为3pF，几乎不对信号造成影响，特别适用于高速数据传输线路的保护。它采用单通道LINE设计，并具备Bi双向TYPE特性，意味着无论电压波动的方向如何，都能够有效箝位过电压，确保连接设备的安全。此元件体积小巧、易于集成，是保护敏感电路的理想选择。
