LKE05N-B_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:8A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:18pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）具备IPP最大脉冲峰值电流8安培的能力，能有效抵御瞬时过电流冲击。其反向工作电压VRWM为5伏特，适合用于需要低电压保护的电路环境中。器件的电容CJ为18皮法，有助于在保持信号完整性的同时提供必要的保护功能。采用双向（Bi-directional）设计，可对来自两个方向的过电压事件提供防护。单通道特性使得该器件易于集成到各种电子设备中，适用于需要紧凑和高效保护方案的应用场景，确保系统在遭遇电气突变时仍能维持稳定性能。
