LKE12N-B_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:8A 参数2：电压VRWM:12V 参数3：CJ:8pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款静电和浪涌保护器件，属于TVS/ESD防护系列，专为电路保护设计。其IPP最大脉冲峰值电流高达8安培，能有效抵御瞬时高电流冲击。反向工作电压VRWM为12伏特，适用于需要稳定低压保护的设备。极低的电容CJ仅为8皮法，几乎不影响信号完整性，同时提供高效的静电放电防护。该器件采用双向（Bi-directional）结构，可以对双向过电压事件进行保护。单通道设计简化了集成过程，适用于需要精简解决方案的应用场景中，确保电子系统在面对外部电气威胁时仍能保持稳定运行。
