BDFN2C031V_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:9A 参数2：电压VRWM:3.3V 参数3：CJ:15pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD防护系列，具有9A的峰值脉冲电流承载能力IPP，击穿电压VRWM为3.3V，确保在敏感电路中提供精确的过压保护。其电容CJ仅为15pF，有助于维持信号的完整性，特别适合高速数据线保护。采用单通道LINE设计，适用于各种电子设备中的接口保护。Bi双向TYPE特性允许它在正反两个方向上都能有效地箝位瞬态电压，保障连接设备的安全。该元件体积小巧，易于集成到紧凑型设计中，为电子装置提供可靠保护而不影响性能。
