AR0521P0_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN0603-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：15000/圆盘 参数1：电流Ipp:4.5A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:0.25pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此静电和浪涌保护器件属于Bi双向类型，适用于各类电子设备中的接口保护。其峰值脉冲电流承载能力（IPP）为4.5安培，能够有效抵御瞬态电压波动带来的损害。工作截止电压（VRWM）设定在5伏特，在此电压下保持高阻抗状态，确保不影响电路的正常运作。该元件的电容值（CJ）极低，仅为0.25皮法，有助于维持信号的完整性与稳定性，尤其适合高速数据传输等对电容敏感的应用场景。仅占用1个通道的设计，使其成为空间受限应用的理想选择。此保护器件能有效地保护电子装置免受静电放电（ESD）及其它瞬态过电压事件的影响，确保设备运行的安全性和可靠性。
