CS0801M_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:9A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:10pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）专为电子设备提供精准的过电压保护。其IPP额定值为9安培，VRWM为5伏特，适用于需要稳定工作电压的场合。元件具备10皮法的极低电容CJ，确保在高速数据线路上的应用中不会对信号完整性造成影响。作为1通道双向（Bi）类型保护器，它能够在数据传输的两个方向上提供有效的保护，同时保持线路的透明度和低插入损耗。此器件能够快速响应瞬态过电压事件，有效地将有害的能量导向地线，从而保护下游电路免受损害。适用于各种需要可靠保护解决方案的电子装置中。
