LESD8L5.0CT5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:3A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:0.6pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护器件，设计用于提供精准的瞬态电压抑制（TVS）及静电释放（ESD）保护。其最大脉冲峰值电流IPP可达3安培，确保在遭遇突然的电压尖峰时能够有效分流多余电流。击穿电压VRWM为5伏特，适合应用于需要稳定低压保护的电路中。结电容CJ仅为0.6皮法，有助于维持信号完整性，特别适用于高速数据线或敏感电子接口的保护。作为一款单通道、双向（Bi-directional）保护元件，它可以在正反两个方向上对瞬态过电压进行钳位，从而保护连接设备免受损害。该器件凭借其紧凑的设计和高效能，是现代电子产品设计中的理想选择。
