BDFN1C051R_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN0603-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：15000/圆盘 参数1：电流Ipp:4.5A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:0.25pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护器件，设计用于敏感电路的防护，其IPP（峰值脉冲电流）可达4.5安培，确保在遭遇瞬时高电流时仍能稳定工作。额定的工作电压VRWM为5伏特，适合于需要稳定电压保护的应用场景。器件的结电容CJ低至0.25皮法，对信号完整性影响极小，特别适用于高速数据线或射频线路的保护。采用单通道1 LINE设计，并具备Bi双向特性，可以有效地保护正负双向的电压突波，确保连接设备的安全。该元件是保障电子装置免受静电放电和瞬态过压事件损害的理想选择。
