LESD8LH5.0CT5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:2.5A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:2.5pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护器件，采用TVS/ESD技术设计，提供精准的过电压保护。其IPP（峰值脉冲电流）为2.5安培，确保在面对瞬时高电流冲击时仍能稳定工作。击穿电压VRWM设定为5伏特，适用于需维持信号完整性的低电压应用场景。电容CJ仅为2.5皮法，对信号的影响极小，适合高速数据线或敏感电路的保护。作为单通道双向保护元件，它能够在正反两个方向上有效抑制突波，保障连接设备的安全运行，特别适用于需要可靠保护电子接口的设计中。
