LESD8L5.0T5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:4A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:0.6pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护器件，专为敏感电子设备提供稳健的防护性能。其最大脉冲峰值电流IPP可达4安培，工作电压VRWM为5伏特，确保在面对突发电压波动时能够有效保护电路免受损害。结电容CJ低至0.6皮法，有助于维持信号的完整性，特别适合于对频率响应要求严格的场景。该保护元件采用单向（Uni-directional）设计，适用于需要单通道保护的应用中，能精准地响应过电压事件，同时保持极低的电容负载，不影响线路性能。
