SE10F10B5.0MA_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:3A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:0.6pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）设计用于提供精确的过电压保护，具有3A的峰值脉冲电流IPP承受能力，工作电压VRWM为5V，确保在面对瞬态电压波动时能够有效保护敏感电路。其极低的电容值CJ仅为0.6皮法，几乎不影响信号完整性，非常适合应用于高速接口或精密电子装置中。作为单通道双向TYPE:Bi元件，它能对双向的过电压事件作出快速响应，无论是正向还是反向的静电放电和浪涌冲击都能得到有效的抑制，从而保障连接设备的稳定运行与数据传输的安全性。
