LESD8L5.0N3T6G_DFN1006-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-3L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:1A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:0.7pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此静电和浪涌保护器件为Uni单向类型，适用于电路中的瞬态电压抑制。其IPP最大峰值脉冲电流为1安培，适合需要较小保护电流的应用场景。额定反向工作电压VRWM为5伏特，确保在常规操作电压下稳定工作。极低的寄生电容CJ仅为0.7皮法，对信号完整性影响极小，非常适合高速数据传输线路或高频应用中使用。2通道设计允许同时保护多条线路免受静电放电（ESD）和瞬时过压事件的影响。该保护元件是保障电子设备可靠性和稳定性的重要组成部分，尤其适用于对空间和性能有严格要求的电路设计中。
