LESD11LH5.0CT5G_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN0603-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：15000/圆盘 参数1：电流Ipp:2A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:3pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此静电和浪涌保护器件为Bi双向类型，设计用于在敏感电路中提供精确的过电压保护。其IPP额定值为2A，确保能够有效应对瞬时电流冲击。VRWM为5V，表明该设备可在不超过此工作电压的情况下维持正常运作，保障后端电路的安全。电容CJ低至3pF，有助于保持信号完整性，尤其适用于高频环境中的1通道线路保护。这种保护元件能够在不干扰原始信号的前提下，迅速响应并抑制异常电压，保护连接设备免受潜在损害。适用于各种需要稳定可靠保护方案的电子装置。
