LESD8D12T5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:4A 参数2：电压VRWM:12V 参数3：CJ:28pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护器件，适用于各类电子设备的防护。它具备4安培的最大脉冲峰值电流IPP，能够有效应对瞬时过电压情况。反向工作电压VRWM设定为12伏特，在标准操作条件下提供稳定的性能而不导通。电容CJ为28皮法，适合用于需要一定信号完整性的1通道线路保护中。单向（Uni-directional）设计使得该元件在电路中的应用更加灵活，简化了设计复杂度。这款保护器件能够在不影响正常通信的情况下，可靠地吸收并抑制可能对内部电路造成损害的瞬态电压波动，确保连接设备的安全与稳定运行。
