LESD8H5.0CT5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:30A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:60pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款静电和浪涌保护器件，设计用于提供精密的过电压保护。其IPP高达30A，确保在遭遇瞬时高电流冲击时仍能稳定工作。额定的反向工作电压VRWM为5V，适用于多种低电压应用场景。器件具备60pF的小电容CJ，有助于保持信号完整性的同时，不影响传输速率。采用单通道1线配置，简化了电路设计。Bi双向类型允许它在正反两个方向上都提供有效的保护，使得该元件成为保护敏感电子设备免受瞬态电压损害的理想选择。
