LESD8LF5.0CT5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:4A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:0.35pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），适用于需要精密保护的电子设备。其IPP为4A，能够在瞬时高电流事件中提供可靠的保护。额定反向工作电压VRWM为5V，适合应用于低电压环境。极低的电容CJ仅为0.35pF，几乎不影响信号质量，同时确保快速响应时间。采用1通道单线配置，易于集成到现有电路设计中。Bi双向类型意味着它在正反两个方向都能有效抑制过电压脉冲，保护敏感组件免受损害。此器件是保障电子产品稳定性和耐用性的关键组件。
