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LESD8D3.3CBT5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:DFN1006-2L 类别:静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装:10000/圆盘 参数1:电流Ipp:9A 参数2:电压VRWM:3.3V 参数3:CJ:15pF 参数4:类型:Bi双向 标价:欢迎咨询

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产品介绍

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这款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)专为电子设备提供精密保护。它具有9安培的最大脉冲峰值电流IPP,能有效抵御瞬时高能量冲击。反向工作电压VRWM为3.3伏特,在正常操作电压下保持非导通状态,确保线路的稳定性。电容CJ仅为15皮法,有助于维持信号的纯净度,特别适合高速数据传输等对信号完整性要求较高的应用。作为一款1通道双向(Bi-directional)保护元件,它可以灵活地部署在各种电路设计中,以吸收并抑制可能损害敏感组件的瞬态电压,保障系统稳定运行。

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