LESD8LL5.0T5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:4A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:0.6pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）专为电子设备提供可靠的过电压保护。其IPP额定值为4A，确保在瞬态高电流事件中维持性能稳定。该器件的VRWM为5V，适合低电压应用场景，保障电路安全。它拥有极低的电容CJ，仅为0.6pF，对信号完整性影响微乎其微，同时保持快速响应特性。采用单通道1线配置，简化了安装与设计流程。作为Uni单向类型，它专注于一个方向上的过电压保护，是保护敏感电子组件免受瞬态电压威胁的理想选择，适用于各种需要精密保护的电子装置中。
