TPD1E0B04DPYR-HXY_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:16A 参数2：电压VRWM:3.6V 参数3：CJ:0.13pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款单通道双向静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)设计用于提供高效防护，确保设备在面对突发的电压冲击时的安全性和稳定性。其反向工作电压（VRWM）为3.6V，适合多种敏感电子组件的保护需求。峰值脉冲电流（IPP）可达16A，能够有效吸收可能损坏电路的高能脉冲。此外，该器件具有极低的结电容（CJ）值，仅为0.13pF，非常适合应用于高速数据传输接口中，如通信设备、智能家居产品等，有助于维持信号完整性并减少干扰。此款保护器件是保障各类消费电子产品免受静电放电及瞬态电压损害的理想选择。
