PESD5V0F1BL,315_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:3A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:0.38pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款静电和浪涌保护器（TVS/ESD）具备16A IPP峰值脉冲电流处理能力，最大工作电压（VRWM）为5V，极间电容（CJ）仅为3皮法，适用于单线（LINE:1）保护场景，并采用双向（Bi）设计。双向特性使其能够对线路中的正反向电压尖峰进行箝位，低电容特性使得它非常适合应用于要求高信号完整性的高速数据线保护，如常见的电子设备中的敏感电路防护，有助于防止因瞬态电压引起的潜在损害。
