PESD5V0X1BL,315_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:3A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:0.6pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）具备5.5A的IPP及5V的VRWM工作电压，同时拥有低至0.9pF的结电容。该装置适用于单线配置，并采用双向设计，可以有效应对两个方向上的电压波动。由于其较低的电容特性，特别适合用于保护高速信号线路免受瞬态电压尖峰的影响，如常见的数据接口等，有助于保持信号的完整性和系统的可靠性。
