SMDJ8.5CA_SMC_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMC 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/卷盘 参数1：电流Ipp:208.3A 参数2：电压VRWM:8.5V 参数3：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件采用双向设计，适用于高精度电子系统中的瞬态电压抑制。其工作峰值反向电压（VRWM）为8.5V，击穿电压范围（VBR）为9.44~10.40V，钳位电压（VC）为14.4V，能够有效保护后级电路免受静电放电及浪涌脉冲的损害。最大通流能力（IPP）可达208.3A，具备较强的瞬态能量吸收能力，适用于通信接口、消费类电子及精密控制模块等应用场景。
