SMDJ9.0CA_SMC_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMC 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/卷盘 参数1：电流Ipp:194.8A 参数2：电压VRWM:9V 参数3：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件采用双向设计，适用于各类电子设备中对瞬态电压的抑制需求。其工作峰值反向电压（VRWM）为9V，击穿电压范围（VBR）在10.00~11.10V之间，钳位电压（VC）为15.4V，能够在静电放电或浪涌事件中快速响应并稳定电压。最大通流能力（IPP）可达194.8A，具备良好的瞬态能量吸收性能，适合用于通信接口、便携式设备及精密控制电路等场景中的电路保护。
