LESD11LL3.3CT5G_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN0603-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：15000/圆盘 参数1：电流Ipp:4A 参数2：电压VRWM:3.3V 参数3：CJ:0.25pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件具备4A的峰值脉冲电流（IPP）能力，有效抑制瞬态过电压，保障电路安全。其反向工作电压为3.3V（VRWM），适用于低电压信号线路的防护需求。器件内部结电容仅为0.25pF，确保高速信号传输过程中不会引入明显干扰。采用单通道（LINE:1通道）双向（Bi-directional）设计，兼容双向信号线路保护场景，广泛应用于通信设备、便携式电子产品及精密电子仪器中，为敏感电路提供可靠防护。
