LESD8LL3.3T5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:4A 参数2：电压VRWM:3.3V 参数3：CJ:0.4pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件支持4A的峰值脉冲电流（IPP），可有效吸收静电放电及瞬态过电压，提升电路可靠性。其反向工作电压为3.3V（VRWM），适用于低电压信号线路的防护场景。器件结电容为0.4pF，保持信号完整性的同时实现快速响应。采用单通道（LINE:1通道）单向（Uni-directional）设计，适用于对地反向电压限制的应用需求，广泛用于通信接口、消费类电子产品及高精度电子设备中，为敏感电路提供稳定保护。
