ESD56171D04-3/TR_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2X2-3L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流Ipp:240A 参数2：电压VRWM:4.5V 参数3：CJ:1000pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件采用Bi双向结构，具备240A的峰值脉冲电流（IPP）承受能力，可有效应对高强度瞬态电压冲击。其反向工作电压（VRWM）为4.5V，适用于低电压信号线路的防护需求，1000pF的结电容（CJ）特性使其更适合处理中低频信号。器件支持双通道（LINE:2通道）应用，广泛用于通信设备、消费类电子产品及精密电子系统的多路信号线保护，提供稳定可靠的电路防护性能。
