ESD56241D07-3/TR_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2X2-3L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流Ipp:240A 参数2：电压VRWM:7.5V 参数3：CJ:1700pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件采用Uni单向设计，具备240A的峰值脉冲电流（IPP）承受能力，能够快速响应并泄放高强度瞬态电压能量。其反向工作电压（VRWM）为7.5V，适用于中低电压信号线路的防护需求，1700pF的结电容（CJ）特性使其更适合用于低频或对电容敏感的电路场景。器件支持双通道（LINE:2通道）布局，可应用于通信接口、消费类设备及多路信号系统的线路保护，提供稳定且高效的电路防护性能。
