ESD56241D12-3/TR_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2X2-3L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流Ipp:180A 参数2：电压VRWM:12V 参数3：CJ:1300pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件适用于高精度电子系统，具备优异的瞬态电压抑制能力。其最大峰值电流IPP为180A，能有效吸收静电放电及外部浪涌干扰；反向工作电压VRWM为12V，适合多种低压电路应用场景。器件结电容CJ为1300pF，确保信号完整性不受明显影响。采用2通道设计，支持多路信号线同时保护，结构紧凑且布局灵活。单向（Uni）设计可防止反向电压对敏感电路造成损害，广泛用于通信接口、便携设备及精密仪器中，提供稳定可靠的电路保护方案。
