ESD56241D18-3/TR_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2X2-3L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流Ipp:140A 参数2：电压VRWM:18V 参数3：CJ:900pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件适用于高精度电子系统，具备良好的瞬态电压抑制能力。最大峰值脉冲电流IPP为140A，可有效应对静电放电及外部浪涌冲击；反向工作电压VRWM为18V，适用于多种低压电路的保护场景。器件结电容CJ为900pF，对信号完整性影响较小，适合用于数据传输接口防护。采用2通道设计，支持多路信号线同步保护，提升整体稳定性。单向（Uni）结构能防止反向电压对敏感元件造成损害，广泛应用于通信设备、便携式仪器及消费类电子产品中，提供高效可靠的电路保护方案。
