ESD56241D15-3/TR_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2X2-3L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流Ipp:180A 参数2：电压VRWM:15V 参数3：CJ:900pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件专为高灵敏度电子系统设计，具备出色的瞬态电压抑制性能。其最大峰值脉冲电流IPP为180A，可高效吸收静电放电及外部电磁干扰产生的浪涌能量；反向工作电压VRWM为15V，适用于多种中低压电路的保护需求。器件结电容CJ为900pF，对信号传输影响小，适合高速数据接口应用。采用2通道结构，支持多线路同步保护，提升整体稳定性。单向（Uni）设计有效阻止反向电压损害敏感元件，广泛应用于通信模块、消费类电子产品及精密测量设备中，提供可靠且紧凑的电路保护方案。
