PTVSHC2EN4V5B-HXY_DFN1610-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1610-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流Ipp:160A 参数2：电压VRWM:4.5V 参数3：CJ:300pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件采用双向设计，支持160A峰值脉冲电流（IPP）的瞬态电压吸收能力，适用于需要较强抗干扰能力的电路环境。其反向工作电压为4.5V（VRWM），可在较宽电压范围内稳定运行。单通道设计结合300pF的结电容（CJ），适合用于低频信号线路或电源路径的保护。该器件广泛应用于消费类电子产品中的USB接口、电池管理模块以及各类通用电子设备的敏感电路中，提供高效、可靠的过压和静电放电防护功能。
