PTVSHC3N4V5B-HXY_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2X2-3L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流Ipp:240A 参数2：电压VRWM:4.5V 参数3：CJ:1000pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件采用双向设计，适用于多种电路中对瞬态电压的高效抑制。其最大峰值电流（IPP）为240A，具备出色的能量吸收能力，可有效保护电路免受静电和浪涌干扰。工作反向电压（VRWM）为4.5V，适用于低电压信号线路的防护需求。结电容（CJ）为1000pF，在确保保护性能的同时兼顾信号完整性。该器件支持2通道线路保护，适合用于通信接口、便携设备及精密电子系统中的多路信号线防护，提供快速响应与长期稳定性。
