NGTB40N120FL3WG-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.7V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率和高压场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和导通性能。该器件可广泛应用于能源管理、智能家电及精密电力控制设备中，实现高效、可靠的开关与能量转换功能。
