YGW50N65F1A_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具有50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性与稳定性。模块结构紧凑，可靠性高，可广泛应用于智能电网、新能源变换系统及精密电源管理等领域。
