MSG75T65FQC_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:75A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电子系统应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，在高频开关操作中可有效降低导通损耗。内置二极管支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提供稳定的续流性能。模块设计兼顾散热效率与安装便捷性，适合用于电源转换、电机控制及智能电网设备中的高效能电路设计。
