SPT75N65F1_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:75A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备75A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电子系统。其1.6V的集射极饱和电压（VCE(sat)）有效降低导通损耗，提升整体效率。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提供出色的续流能力与热稳定性。模块采用标准化封装，便于安装与散热，广泛应用于电源转换、电机控制及智能电网等高性能场景。
