YGW40N65F1A2_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.8A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低能耗并提升效率。内置二极管支持40A正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的导通特性。该器件可应用于电力变换、节能设备及精密控制电路中，提供高效、稳定的工作表现，满足多样化电子系统设计需求。
