MSG75T65HFC0_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.65V 参数4：二极管正向电流:1.45A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该IGBT模块具有50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可支持50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.45V，具备良好的续流能力。模块采用稳定封装工艺，适用于需要高效能开关操作的电力电子设备，如电源转换装置、电机驱动器及智能电网相关设备等。
