YGW75N65T1_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:75A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块具备75A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电子系统。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持75A正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.85V，表现出稳定的导通性能。该器件可广泛应用于电力转换、节能控制、精密电源等场景，为高效、可靠电路设计提供有力支持，满足多样化应用场景的技术需求。
