SPT40N120F1C_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.9V 参数4：二极管正向电流:2.5A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高耐压与中功率应用场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在保证性能的同时支持稳定开关操作。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的续流特性。模块采用通用封装设计，兼顾散热性能与安装便利性，适合用于电源转换、电机控制及智能电网等高频电路中的高效能需求场景。
