STGWA75M65DF2-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:75A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复性能与稳定性。模块采用通用封装设计，便于安装与散热，广泛应用于电源转换、智能电网、精密电机控制等领域，满足多种高性能电力电子设备的技术需求。
