IXYP15N65C3D1M-HXY_TO-220F_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：IGBT管/模块 最小包装：50/管装 参数1：电流IC:15A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.79V 参数4：二极管正向电流:1.68A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备15A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.79V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受15A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.68V，提升了反向恢复性能与整体可靠性。该器件采用标准封装设计，便于散热与安装，广泛应用于电源转换、电机控制及智能电网等领域，为高性能电力电子装置提供了良好的技术支持。
