FGH40T120SMD-F155-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.7V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于实现较低的导通损耗。内部集成续流二极管，其正向电流（IF）可达40A，正向压降（Vf）为1.85V，确保稳定可靠的反向续流能力。该器件可广泛应用于电源转换、电机驱动及能源调控等领域，具备良好的动态响应和热稳定性，适合对效率与可靠性有较高要求的设计场景。
