RGT00TS65DGC11-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.65V 参数4：二极管正向电流:1.45A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为高性能IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可支持较高功率应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）仅为1.65V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.45V，表现出良好的能效特性。该器件适用于需要高效能、高稳定性的电力电子系统，如能源转换装置及精密控制设备，提供可靠的开关与导通性能，满足复杂电路对动态响应和热稳定性的要求。
