AOK50B65H1_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该IGBT模块具有50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率场合。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，具备良好的电流承载能力和热稳定性。模块采用标准封装形式，便于安装与散热，适合用于电源转换、电机控制及电力调节等应用场景，提供可靠且高效的电力电子解决方案。
