IRGP4790D-EPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:75A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块提供75A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升整体效率。内置二极管可支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性与可靠性。该器件结构紧凑、性能稳定，适合用于对能效和功率密度有一定要求的高频开关与电源转换应用。
