IRG7PH46UD-EP-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.7V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于高耐压、大功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时降低了导通损耗。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性与可靠性。该模块设计紧凑，效率高，适合用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子系统中。
